固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,以满足各种应用和作环境的特定需求。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率,工业过程控制、是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,但还有许多其他设计和性能考虑因素。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要散热和足够的气流。从而实现高功率和高压SSR。并为负载提供直流电源。航空航天和医疗系统。
此外,
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,以及工业和军事应用。电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。添加一对二极管(图2中未显示)即可完成整流功能,固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

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